文档名：新型电阻膜吸波体在封装辐射抑制中的应用
摘要：为抑制封装系统中无意的电磁辐射,设计了一种单元尺寸为0.079λL×0.079λL、厚度为0.057λL的新型电阻膜超材料吸波体结构.该电阻膜超材料吸波体通过在玻璃基板的两侧溅射氧化铟锡薄膜,并在顶层设计图案化的强耦合结构实现了超带宽吸收.通过仿真和实物测试证实了该吸波体结构在17～41GHz频率范围内具有90％以上的吸收率.为了进一步研究其电磁辐射抑制能力,将该吸波体应用于封装系统模型中,仿真结果显示在18～47GHz频率范围内3m辐射电场明显降低,最佳抑制效果达到18dB.所有结果表明所提出的电阻膜吸波体具有小型化、超宽带、极化不敏感和角度稳定的特性,其良好的辐射抑制能力为封装系统的辐射超标问题提供了新的解决思路.
作者：李燕 霍树云 李尔平 Author：LIYan HUOShuyun LIEr-ping
作者单位：中国计量大学信息工程学院浙江省电磁波信息技术与计量重点实验室,杭州310018河北工业大学电子信息工程学院,天津300401浙江大学浙江省先进微纳电子器件智能系统及应用重点实验室,杭州310027
刊名：电波科学学报 ISTICPKU
Journal：ChineseJournalofRadioScience
年，卷(期)：2023, 38(2)
分类号：TN03
关键词：电磁干扰 超材料吸波体 辐射抑制 芯片封装 超宽带
机标分类号：TB34TN929.5O436
在线出版日期：2023年6月2日
基金项目：国家自然科学基金，国家自然科学基金，浙江省自然科学基金重大项目新型电阻膜吸波体在封装辐射抑制中的应用[
期刊论文] 电波科学学报--2023, 38(2)李燕 霍树云 李尔平为抑制封装系统中无意的电磁辐射,设计了一种单元尺寸为0.079λL×0.079λL、厚度为0.057λL的新型电阻膜超材料吸波体结构.该电阻膜超材料吸波体通过在玻璃基板的两侧溅射氧化铟锡薄膜,并在顶层设计图案化的强耦合结构实现...参考文献和引证文献
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