本文介绍了采用薄膜转移工艺制备的128×128规模高架桥式电阻阵。该电阻阵具有高集成度和优异的热性能,适用于红外成像系统。通过优化工艺参数,实现了结构稳定性和电气性能的提升。研究为高性能红外探测器的开发提供了关键技术支撑。
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