有机场效应晶体管中迁移率、阈值电压与沟道长度之间的反常依赖关系

文档名：有机场效应晶体管中迁移率、阈值电压与沟道长度之间的反常依赖关系
本文通过在硅衬底上制备得到具有不同沟道长度的有机聚合物(DPPTTT)薄膜场效应晶体管器件,研究了沟道长度对有机场效应晶体管器件中的载流子浓度和阈值电压的影响.实验发现,当沟道长度降低到50Ⅳn时,器件的有效载流子迁移率最高,达到0.12cm2/Vs;同时观察到了随着沟道长度的降低,载流子迁移率与阈值电压都有增大的趋势,这与以往观察到由于接触电阻的作用导致的趋势相反(即所谓的短沟道效应).针对这种反常的现象,做了初步的探讨.这些研究内容将为更好地理解有机场效应晶体管的器件物理提高新的观点.
作者：叶建春 李俊 吴一珊 宋玉洁 吴强 欧阳威
作者单位：华东师范大学物理与材料科学学院,纳光电集成与先进设备教育部工程中心,上海市中山北路3663号,上海200062同济大学电子与信息工程学院,上海市曹安公路4800号,上海201804
母体文献：第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会论文集
会议名称：第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会  
会议时间：2017年10月1日
会议地点：上海
主办单位：上海市真空学会,江苏省真空学会,安徽省真空学会,浙江省真空学会
语种：chi
分类号：TN3TN4
关键词：有机场效应晶体管  载流子迁移率  阈值电压  短沟道效应
在线出版日期：2021年3月22日
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2024-12-11 21:39 上传 有机场效应晶体管中迁移率、阈值电压与沟道长度之间的反常依赖关系.pdf

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