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非埋层隔离式高压N型沟道LDMOS器件设计 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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2025-12-14 10:14 | 查看全部阅读模式

论文《非埋层隔离式高压N型沟道LDMOS器件设计》探讨了高压N型沟道LDMOS器件的结构优化与性能提升。通过采用非埋层隔离技术，有效降低了器件的导通电阻和开关损耗，提高了击穿电压。该研究对高功率集成电路的设计具有重要参考价值，为未来电力电子器件的发展提供了新思路。

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非埋层隔离式高压N型沟道LDMOS器件设计 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

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沟道, 学术会议, 集成电路, 半导体, 高压

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