本文研究了沟道层厚度对室温下制备的In2O3薄膜晶体管性能的影响。通过改变沟道层厚度，分析了器件的电学特性，如阈值电压、迁移率和开关比等。实验结果表明，沟道层厚度对器件性能有显著影响，优化厚度可提高器件性能。该研究为In2O3薄膜晶体管的优化设计提供了理论依据和实验支持。
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