|
本文研究了渐变AlGaN沟道层对AlGaN_AlN_AlGaN_GaN HEMT结构中电子气的影响。通过调节AlGaN沟道层的Al组分梯度，优化了二维电子气的浓度和迁移率。实验结果表明，渐变结构能够有效增强界面极化效应，提高器件性能，为高性能氮化物半导体器件的设计提供了新思路。 文档为pdf格式，0.64MB，总共3页。
- 文件大小:
- 655.36 KB
- 下载次数:
- 60
- 渐变AlGaN沟道层对AlGaN_AlN_AlGaN_GaN HEMT结构电子气的影响 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光 ...
-
高速下载
| 
