六角相Bi掺杂Cr1δTe薄膜的外延生长与磁性调控

文档名：六角相Bi掺杂Cr1δTe薄膜的外延生长与磁性调控
作为一种常见的硫族过渡金属化合物,具有良好铁磁性的碲化铬在自旋电子学研究领域表现出可靠的应用潜力.从上世纪中叶开始,科学家就在碲化铬体系上陆续做了大量的研究工作,合成出了Cr1-xTe,Cr2Te3,Cr3Te4,Cr5Te6,Cr5Te8等不同组分的碲化铬块材,并对其结构,磁性及电输运等物性进行了系统研究  ,其中以NiAs型的六角相碲化铬上的工作最具代表性.近些年来,利用分子束外延技术进行高质量的六角相CrTe薄膜的外延生长以及器件制备成为了此领域的主要研究方向.
作者：陈俊树周良何洪涛王干
作者单位：南方科技大学物理系广东省深圳市南山区学苑大道1088号
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议  
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：O48
关键词：六角相碲化铬薄膜  铋元素掺杂  外延生长  磁性调控
在线出版日期：2019年8月12日
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2024-12-11 09:16 上传 六角相Bi掺杂Cr1δTe薄膜的外延生长与磁性调控.pdf

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