文档名：导电碳纸上氮掺杂碳纳米管阵列的制备及其生长机理
选择导电碳纸为基底,在碳纸一侧的表面均匀涂覆一层含有催化剂前驱体的炭黑层.以二茂铁为催化剂前驱体,二甲苯为碳源,乙二胺为氮源,采用化学气相沉积(CVD)法在炭黑层/导电碳纸基底上直接生长定向排列的氮掺杂碳纳米管阵列.通过使用扫描电子显微镜(SEM)考察了不同的反应温度,反应混合气体的载气比例、碳原子与氮原子的原子比(碳氮比)以及催化剂的浓度等工艺参数对氮掺杂碳纳米管阵列微观形貌的影响.研究表明:当反应温度为850℃,反应混合气体的载气比例为Ar∶H2=7∶1,碳氮比为20∶1,催化剂浓度为0.05g/mL时能够获得定向生长的氮掺杂碳纳米管阵列.在实验的基础上,初步探讨了炭黑层/导电碳纸基底上生长氮掺杂碳纳米管阵列的机理.
作者：段娇娇
作者单位：太原理工大学化学化工学院,山西太原030024
母体文献：中国金属学会炭素材料分会第三十一届学术交流会论文集
会议名称：中国金属学会炭素材料分会第三十一届学术交流会
会议时间：2017年9月1日
会议地点：贵阳
主办单位：中国金属学会
语种：chi
分类号：TB3TM9
关键词：导电碳纸 碳纳米管阵列 氮掺杂 化学气相沉积法 生长机制
在线出版日期：2021年3月31日
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