具有高输出电流的双掺杂p型栅增强型AlGaNGaNHEMT

文档名：具有高输出电流的双掺杂p型栅增强型AlGaNGaNHEMT
本文通过TCAD仿真软件进行验证了具有双掺杂p型栅(DDP)能够改善增强型AlGaN/GaNHEMT输出电流.AlGaN栅极层的p型重掺杂区域确保器件处于具有足够高的阈值电压,AlGaN栅极层的p型轻掺杂区域用以降低沟道电阻.模拟结果表明,DDPHEMT在具有安全的阈值电压(VTH=1.5V)的同时,比传统的p型栅极(CP)HEMT(IMAX=144mA/mm)提供更大的输出电流(IMAX=334mA/mm).
作者：邝文腾 石黎梦 孙辉 刘美华 陈东敏 林信南
作者单位：北京大学深圳研究生院,深圳518055北京大学交叉学科研究院,北京100871
母体文献：全国电技术节能第十四届学术年会论文集
会议名称：全国电技术节能第十四届学术年会  
会议时间：2018年9月1日
会议地点：深圳
主办单位：中国电工技术学会
语种：chi
分类号：TM9TB3
关键词：高电子迁移率晶体管  优化设计  p型栅结构  氮化铝镓  氮化镓  输出电流
在线出版日期：2022年3月9日
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