第三代宽禁带半导体SiC器件在空间太阳能电站中的应用及进展

文档名：第三代宽禁带半导体SiC器件在空间太阳能电站中的应用及进展
第三代宽禁带半导体(SiC、GaN)器件以其固有的大功率、耐高温及恶劣环境、抗辐照等特点,在替代传统的Si基器件方面具有无与伦比的技术优势.文章概述了第三代半导体(SiC)器件的发展现状,介绍了国内外第三代宽禁带半导体(SiC)器件研究进展及应用情况,并展望了第三代宽禁带半导体器件在空间太阳能电站中的应用前景.
作者：张宝林 唐林江 陈滔 万成安
作者单位：北京卫星制造厂,北京100094;天津大学,天津300072北京卫星制造厂,北京100094
母体文献：第二届空间太阳能电站发展技术研讨会论文集
会议名称：第二届空间太阳能电站发展技术研讨会  
会议时间：2017年10月28日
会议地点：西安
主办单位：中国航天科技集团公司五院
语种：chi
分类号：
关键词：空间太阳能电站  第三代宽禁带半导体器件  性能表征
在线出版日期：2020年6月28日
基金项目：
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2024-12-9 21:06 上传 第三代宽禁带半导体SiC器件在空间太阳能电站中的应用及进展.pdf

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