第三代半导体SiC器件制造技术及航天应用展望

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第三代半导体SiC材料在制作高压功率器件方面具有天然的优势.在对SiC器件通用技术介绍的基础上,重点研究了SiC刻蚀工艺技术和SiC肖特基二极管制造技术,并基于四英寸生产线对600V/10ASiC肖特基二极管进行了研制.结果表明,相比于Si器件,SiC肖特基二极管具有更低的正向压降和更好的高温特性、几乎为零的反向恢复时间和恢复电荷,适用于高压开关电路.特别是在航天领域，在长寿命、高可靠、抗辐射的发展背景下，母线电压的提高和超高压电源的现实需求，使得SiC器件在航天领域具有广阔的应用前景。
作者：高博薛智民张志新雷应毅刘文平
作者单位：西安微电子技术研究所
母体文献：2017航天先进制造技术国际研讨会论文集
会议名称：2017航天先进制造技术国际研讨会  
会议时间：2017年6月21日
会议地点：深圳
主办单位：中国机械工程学会
语种：chi
分类号：TN3TM4
关键词：航天器  第三代半导体碳化硅器件  制造技术  性能表征
在线出版日期：2020年6月22日
基金项目：
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2024-12-2 23:51 上传 第三代半导体SiC器件制造技术及航天应用展望.pdf

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