离子径迹模板辅助法制备InSb纳米线 - 第五届(2008)北京核学会核技术应用学术交流会.pdf

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2026-1-12 17:09 | 查看全部 阅读模式

会议论文《离子径迹模板辅助法制备InSb纳米线》介绍了利用离子径迹模板技术制备InSb纳米线的方法。该方法通过在基底上预先制造纳米级孔道,作为生长纳米线的模板,实现了对纳米线尺寸和分布的精确控制。研究展示了该技术在半导体纳米材料制备中的应用潜力,为后续器件开发提供了新的思路。

文档为pdf格式,0.34MB,总共5页。

离子径迹模板辅助法制备InSb纳米线 - 第五届(2008)北京核学会核技术应用学术交流会
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