会议论文《I层厚度对SOI RF LDMOS参数影响的分析》探讨了SOI RF LDMOS器件中I层厚度对其电学性能的影响。研究通过仿真与实验分析，揭示了I层厚度变化对器件击穿电压、导通电阻及高频特性的影响规律，为优化SOI LDMOS设计提供了理论依据和技术支持。
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