会议论文《He和H离子联合注入单晶Si引起的表面剥落现象研究》探讨了氦和氢离子共同注入单晶硅后引发的表面剥落现象。研究通过实验分析了不同注入条件对材料表面结构的影响，揭示了离子注入与材料损伤之间的关系。该成果为半导体材料的改性与应用提供了理论依据，具有重要的学术价值和实际意义。
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