AlGaN_InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 07:17 | 查看全部 阅读模式

会议论文《AlGaN_InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征》介绍了通过透射电子显微镜(TEM)对AlGaN/InGaN异质结中新型缺陷的观察与分析。该研究揭示了界面处存在的特殊缺陷结构,为理解器件性能退化机制提供了重要依据,对提升氮化物半导体器件质量具有重要意义。

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AlGaN_InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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