0.6μmMOS器件稳态高剂量率电离辐射总剂量效应研究 - 第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会.pdf

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2026-1-12 07:01 | 查看全部 阅读模式

会议论文《0.6μm MOS器件稳态高剂量率电离辐射总剂量效应研究》探讨了在高剂量率电离辐射环境下,0.6μm工艺MOS器件的总剂量效应。研究通过实验分析了辐射对器件性能的影响,揭示了其在极端条件下的可靠性问题,为航天和核工业中的电子器件设计提供了重要参考。

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0.6μmMOS器件稳态高剂量率电离辐射总剂量效应研究 - 第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会
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