会议论文《中带电压法分离MOSFET氧化层陷阱电荷与界面态电荷》探讨了利用中带电压技术区分MOSFET中氧化层陷阱电荷与界面态电荷的方法。该方法通过分析器件在不同电压下的电容-电压特性，有效分离两种电荷的影响，为提高器件可靠性与性能提供了理论支持。本文发表于中国电子学会第十四届青年学术年会，对半导体器件研究具有重要参考价值。
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