用Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管表征SIMOX SOI材料的抗总剂量辐射能力 - 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会.pdf

会议论文《用Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管表征SIMOX SOI材料的抗总剂量辐射能力》探讨了SIMOX SOI材料在辐射环境下的性能表现。通过测试Pseudo-MOS和nMOS晶体管的电特性变化，研究其抗总剂量辐射能力。该文为SOI技术在高辐射环境中的应用提供了重要参考。

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用Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管表征SIMOX SOI材料的抗总剂量辐射能力 - 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会.pdf

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