本文比较了CMOS 4000系列和54HC系列器件在总剂量辐照下的响应特性。通过实验分析,研究了不同辐照剂量对器件电气性能的影响,揭示了两种器件在抗辐射能力上的差异,为航天及高辐射环境下的电子系统设计提供了参考依据。
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