本文介绍了一种集成VDMOS的漏极槽引出方法，旨在提高功率器件的性能与可靠性。通过优化漏极结构设计，该方法有效降低了接触电阻，提升了电流承载能力。文章针对传统工艺中的不足，提出改进方案，并进行了实验验证，为高性能功率半导体器件的开发提供了新思路。
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