会议论文《退火温度对Fe离子注入GaN薄膜的结构和磁性影响》探讨了不同退火温度对Fe离子注入GaN薄膜结构及磁性性能的影响。研究通过XRD和磁滞回线测试分析了退火温度对晶体结构和磁性的调控作用，结果表明适当退火可改善薄膜质量并增强磁性。该研究为GaN基稀磁半导体的制备提供了重要参考。
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