热退火对于AlGaN_GaN异质结肖特基接触特征参数的影响 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-11 05:20 | 查看全部阅读模式

会议论文《热退火对于AlGaN_GaN异质结肖特基接触特征参数的影响》探讨了热退火工艺对AlGaN/GaN异质结肖特基接触性能的影响。研究通过实验分析发现，适当热退火可改善接触界面质量，优化电学特性，如降低接触电阻和提高击穿电压。该成果对提升氮化镓基功率器件的性能具有重要意义。

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