会议论文《不同深度图形化衬底对GaN LED光电特性影响》探讨了图形化衬底深度对GaN基LED性能的影响。研究通过实验分析了不同深度的图形化衬底对光提取效率和电学特性的作用，结果表明适当深度的图形化结构可有效提升LED的发光效率。该论文为提高GaN LED性能提供了理论依据和技术参考，对LED器件设计具有重要意义。
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