会议论文《一种基于GaN HEMT实际特征的高效简易F类功放微带拓扑分析与仿真》探讨了利用GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）特性设计高效F类功率放大器的方法。文章通过分析实际器件特征，提出了一种简化且高效的微带电路拓扑结构，并进行了仿真验证。该研究对提升射频功率放大器性能具有重要意义，适用于通信和雷达系统。
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