本文介绍了1200V平面快恢复二极管终端结构的设计方法。通过优化终端区域的几何形状和掺杂分布，有效降低了电场集中，提高了器件的击穿电压和可靠性。该设计在保持快速恢复特性的基础上，显著改善了二极管的静态和动态性能，适用于高压高频电力电子应用。
文档为pdf格式，0.88MB，总共5页。
举报
