会议论文《Cu掺杂SiC薄膜的结构和磁性研究》探讨了铜元素掺杂对碳化硅薄膜结构及磁性的影响。通过实验分析，研究者揭示了Cu掺杂对材料晶格结构的改变及其可能带来的磁性特性。该研究为新型半导体磁性材料的开发提供了理论依据和技术支持，具有重要的科学意义和应用前景。
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