会议论文《InχGa1-χN_GaN界面结构高分辨TEM模拟像》探讨了InGaN/GaN界面的微观结构，通过高分辨透射电子显微镜（HRTEM）进行模拟分析。该研究对理解氮化物半导体材料的界面特性具有重要意义，为优化器件性能提供了理论依据。论文在2010年全国电子显微学会议暨第八届海峡两岸电子显微学研讨会上发表，展示了先进的电子显微技术在材料科学中的应用。
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