会议论文《InGaP_GaAs HBT射频功率放大器在片温度补偿电路研究》探讨了针对InGaP/GaAs异质结双极晶体管（HBT）射频功率放大器的温度补偿技术。该研究旨在解决温度变化对器件性能的影响，提升放大器在不同工作环境下的稳定性与可靠性。通过设计在片温度补偿电路，有效改善了射频功率放大器的输出功率和效率。该成果为高性能射频前端系统提供了关键技术支撑。
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