基于HfO2的阻变存储器抗辐照特性研究 - 2013年全国博士生学术论坛——电子薄膜与集成器件.pdf

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2026-1-10 18:10 | 查看全部 阅读模式

会议论文《基于HfO2的阻变存储器抗辐照特性研究》探讨了HfO2材料在阻变存储器中的应用及其抗辐照性能。该研究针对空间和核辐射环境下的器件稳定性问题,通过实验分析了HfO2阻变存储器在不同辐照条件下的电学特性变化,为高可靠性存储器的设计提供了理论依据和技术支持。

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基于HfO2的阻变存储器抗辐照特性研究 - 2013年全国博士生学术论坛——电子薄膜与集成器件
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