会议论文《特殊栅结构的平面高压VDMOS研制》介绍了通过优化栅结构设计，提升平面高压VDMOS性能的研究成果。该研究针对传统结构的局限性，提出创新性的栅极结构，有效改善器件的导通电阻和开关特性。论文在2013年全国半导体器件技术与产业发展研讨会上发表，为高压功率器件的发展提供了重要参考。
文档为pdf格式，1.3MB，总共5页。
举报
