会议论文《碳膜保护改善激活退火SiC表面形貌》探讨了在激活退火过程中，通过碳膜保护有效改善SiC表面形貌的方法。该研究针对SiC材料在高温退火时易出现的表面粗糙问题，提出采用碳膜作为保护层，以减少表面缺陷和氧化现象。实验结果表明，该方法显著提高了SiC表面的质量，对半导体器件的性能提升具有重要意义。
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