会议论文《空间辐射环境下CMOS器件失配特性研究》探讨了在空间辐射环境下CMOS器件的失配特性。该研究针对宇宙射线和高能粒子对CMOS器件性能的影响，分析了辐射引起的阈值电压偏移和跨导变化等关键参数。通过实验与仿真结合的方法，提出了评估和改善器件可靠性的方法，为航天电子系统的设计提供了理论依据和技术支持。
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