场致隧穿增强型AlGaN_GaN HEMT新结构 - 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

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2026-1-10 12:19 | 查看全部阅读模式

会议论文《场致隧穿增强型AlGaN_GaN HEMT新结构》介绍了基于场致隧穿效应的新型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构。该研究旨在通过优化器件设计，提升器件性能和工作稳定性。论文在2013年全国半导体器件技术、产业发展研讨会上发表，展示了在微纳电子技术领域的最新研究成果。

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