国外氮化镓器件发展现状研究 - 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

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2026-1-10 12:15 | 查看全部阅读模式

会议论文《国外氮化镓器件发展现状研究》探讨了2013年全球氮化镓器件的技术进展与产业动态。文章分析了欧美及日本在GaN器件领域的研究重点，包括材料生长、器件结构优化及应用前景。作者指出，GaN在高频、高功率电子器件中展现出显著优势，推动了电力电子与射频领域的技术革新。

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