SiC同质外延材料中基失面位错转化机理研究 - 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

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2026-1-10 10:59 | 查看全部阅读模式

该会议论文研究了SiC同质外延材料中基失面位错的转化机理，探讨了位错在生长过程中的行为及其对材料质量的影响。通过实验分析与理论模拟，作者揭示了位错转化的关键因素，为提高SiC材料的晶体质量提供了重要依据，对推动宽禁带半导体器件的发展具有重要意义。

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