会议论文《AlGaN/GaN HEMT漂移区动态电阻分析》探讨了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）中漂移区的动态电阻特性。该研究针对器件在不同工作条件下的电阻变化进行了详细分析，为提升器件性能和可靠性提供了理论依据。论文在2013年全国半导体器件技术、产业发展研讨会上发表，对微纳电子技术的发展具有重要意义。
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