2011北京真空学会真空学术交流会的会议论文《基于AlGaN_GaN HEMT结构的氢气传感器》介绍了利用AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）结构设计的氢气传感器。该传感器通过检测氢气对器件电学特性的影响实现气体传感，具有响应速度快、灵敏度高和稳定性好的优点，为新型气体传感器的研究提供了新思路。
文档为pdf格式，1.17MB，总共4页。
举报
