会议论文《高性能InAlN_GaN HEMT的研制与分析》介绍了基于InAlN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管（HEMT）的研究成果。该研究通过优化材料生长和器件结构，显著提升了器件的性能，包括高电流密度和优良的频率特性。论文对器件的电学特性进行了详细分析，并探讨了其在高频和大功率应用中的潜力，为半导体器件的发展提供了重要参考。
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