会议论文《高压4H-SiC结势垒肖特基二极管的研究》探讨了基于4H-SiC材料的结势垒肖特基二极管在高压应用中的性能与优化。研究分析了器件结构对电学特性的影响，提出了提升击穿电压和降低正向压降的方法。该成果对于发展高效、高耐压的功率电子器件具有重要意义。
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