会议论文《超导勾型磁场下直拉硅单晶氧浓度的试验研究》探讨了在超导勾型磁场条件下，直拉法生长硅单晶过程中氧浓度的变化规律。研究通过实验分析了磁场对晶体中氧含量的影响，为优化硅单晶生长工艺提供了理论依据和技术支持，对提高半导体材料质量具有重要意义。
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