N型功率VDMOS器件总剂量辐射效应研究 - 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

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2026-1-10 01:33 | 查看全部阅读模式

会议论文《N型功率VDMOS器件总剂量辐射效应研究》探讨了N型功率垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOS）在总剂量辐射环境下的性能变化。研究通过实验分析了辐射对器件电学特性的影响，如阈值电压漂移和漏电流增加等现象，为高辐射环境下功率器件的应用提供了理论依据和技术参考。

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