High-performance Top-gated Monolayer SnS2 Field-effect Transistors and Their Integrated Logic Circuits - 第一届新型太阳能电池暨钙钛矿太阳能电池学术研讨会.pdf

会议论文《High-performance Top-gated Monolayer SnS2 Field-effect Transistors and Their Integrated Logic Circuits》介绍了基于单层SnS2的高性能顶栅场效应晶体管及其集成逻辑电路的研究成果。该研究展示了SnS2在柔性电子和高性能半导体器件中的潜力，为新型电子器件的发展提供了理论支持和技术参考。本文发表于第一届新型太阳能电池暨钙钛矿太阳能电池学术研讨会，聚焦于先进材料在能源与电子领域的应用。

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