本文介绍了双面同时静电封接工艺在硅电容传感器中的应用。该技术通过同时对硅片的两面施加高压电场，实现高效、可靠的封接过程。实验结果表明，该方法能够显著提高传感器的密封性能和稳定性，同时简化了制造流程，为高性能硅电容传感器的开发提供了新思路。
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