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《Scalable 0.18 μm射频-锗硅HBT器件工艺技术》是第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议的重要论文之一。该研究聚焦于射频-锗硅异质结双极晶体管（HBT）的 scalable 工艺技术，旨在提升器件性能与集成度。文章详细介绍了基于0.18微米工艺的锗硅HBT结构设计、制造流程及性能测试结果。通过优化材料生长、掺杂控制和器件结构，实现了高频率、低噪声和良好稳定性的射频器件。该技术为高性能射频集成电路提供了可靠的基础，对推动我国半导体器件的发展具有重要意义。 文档为pdf格式，0.69MB，总共3页。
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