高功率半导体脉冲开关RSD的脉冲换流损耗试验 - 2008年中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会.pdf

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2026-1-12 19:35 | 查看全部阅读模式

会议论文《高功率半导体脉冲开关RSD的脉冲换流损耗试验》探讨了高功率半导体器件在脉冲工作状态下的换流损耗问题。文章通过实验分析了RSD（快速恢复二极管）在不同工况下的损耗特性，为提高电力电子装置的效率和可靠性提供了理论依据和技术支持。该研究对于优化高功率脉冲开关的设计具有重要意义。

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