文档名：脉冲功率开关RSD研究进展
本文介绍了近年来本课题组在半导体脉冲功率开关反向开关晶体管RSD(reverselyswitcheddynistor)器件方面所做的基础研究工作以及工程应用推广的情况,具体包括Si基RSD器件的二位数值模型与导通机理研究、引入缓冲层的结构优化、采用两步式触发的应用优化、高压大电流和重复频率开通试验;以及SiC基RSD器件的模型建立和关键工艺初步探索.其中,自主研制的3时Si基RSD器件堆体单次脉冲工况下最高通过峰值电流173kA,转移电荷量32C;以0.2Hz重复频率工作,峰值电流107kA,寿命超过5万次。
作者：梁琳余岳辉
作者单位：华中科技大学光学与电子信息学院
母体文献：第十三届全国电技术节能学术年会论文集
会议名称：第十三届全国电技术节能学术年会
会议时间：2015年6月26日
会议地点：扬州
主办单位：中国电工技术学会电气节能专业委员会
语种：chi
分类号：V43TN8
关键词：脉冲功率开关 反向开关晶体管 数值模型 结构优化
在线出版日期：2018年1月31日
基金项目：
相似文献
相关博文
- 文件大小:
- 5.13 MB
- 下载次数:
- 60
-
高速下载
|
|
