该论文探讨了功率MOSFET在短路和过载情况下的 UIS（Unclamped Inductive Switching）能力，分析了影响其可靠性的关键因素，并提出了改善方法。通过实验与仿真结合的方式，研究了器件结构、工艺参数及工作条件对UIS性能的影响，为提高功率MOSFET的抗故障能力和系统稳定性提供了理论依据和技术支持。
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