不同缓冲层类型InP基In0.83Ga0.17As探测器的暗电流研究

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短波红外1-3μm波段在空间遥感、夜视、雷达测距及环境监测等许多应用中起着重要作用.InGaAs探测器由于可以覆盖整个短波红外波段且具有高量子效率、高工作温度、抗辐照性能良好等特性使得其在短波红外遥感领域有着得天独厚的优势.当InP基InGaAs探测器的截止波长从1.7μm扩展至2.5μm时,InxGa1-xAs材料中的In组分需从0.53增加至0.83,In组分的增加带来的失配会导致材料缺陷及器件性能劣化.因此,在衬底和吸收层之间插入合适的缓冲层以释放应力就显的尤为必要.
作者：奚苏萍顾溢陈星佑马英杰师艳辉杜奔张见张永刚
作者单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议  
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：TN4TN3
关键词：磷化铟基红外探测器  缓冲层类型  暗电流性能  截止波长
在线出版日期：2019年8月12日
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2024-12-9 14:22 上传 不同缓冲层类型InP基In0.83Ga0.17As探测器的暗电流研究.pdf

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