Ge211异质衬底分子束外延HgCdTe薄膜材料及器件性能

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采用RIBEREpineat分子束外延系统,采用Ge(211)衬底经过表面处理,在生长腔体进行高温脱氧,As束流保护下进行表面钝化,在250℃采用表面增强(MEE）法生长50周期Zn/Te交替结构,固定生长面为(211）B面,同时抑制晶格失配产生的螺旋位错;在290℃±5℃生长8～10μm的CdTe缓冲层,在183℃±0.5℃生长11μm的MCT薄膜,在原位对MCT薄膜材料进行8周期的热循环退火.
作者：李艳辉杨春章覃钢杨晋李东升孔金丞
作者单位：昆明物理研究所,云南,昆明650223
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议  
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：TN3TN2
关键词：半导体薄膜  碲镉汞  锗异质衬底  分子束外延生长
在线出版日期：2019年8月12日
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2024-12-9 11:33 上传 Ge211异质衬底分子束外延HgCdTe薄膜材料及器件性能.pdf

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