0.13μmSOINMOSFET在不同总剂量辐照偏置下的热载流子效应.pdf
研究不同辐照偏置下,电离总剂量效应对基于0.13μm部分耗尽绝缘层上硅(SOI)工艺的T型栅结构金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)热载流子效应的影响.采用60Co-γ射线对用于芯片内部的两种典型宽长比SOINMOSFET进行不同电压偏置条件下的辐照,累积剂量率达到1Mrad后,对器件进行热载流子加速应力试验,获得器件的转移特性、跨导以及阈值电压等参数在辐照和应力条件下的变化,并将不同偏置条件下辐照后器件热载流子退化特性与未辐照器件在相同应力条件下的退化特性作对比,研究不同偏置的辐照对器件热载流子退化特性的影响.结果显示总剂量辐照后SOINMOSFET的转移特性几乎没有发生变化,但辐照后器件的热载流子退化相比未辐照的器件更加明显,并且宽沟器件的退化相比窄沟器件更为显著.这一现象主要是由SOI器件埋氧层中辐射陷阱电荷引起.该结果可为SOI器件在空间辐射环境中长期可靠性的研究提供参考.
作者：魏莹 崔江维 郑齐文 席善学 余学峰 陆妩 何承发 郭旗
作者单位：中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐,830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐,830011中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐,830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐,830011;中国科学院大学,北京,100049
母体文献：中国电子学会可靠性分会第二十届可靠性物理年会论文集
会议名称：中国电子学会可靠性分会第二十届可靠性物理年会
会议时间：2018年10月1日
会议地点：广州
主办单位：中国电子学会
语种：chi
分类号：TN3TN4
关键词：场效应晶体管 金属氧化物 T型栅结构 辐照偏置 热载流子效应
在线出版日期：2021年12月15日
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